도와주세요!!
2002.03.13 11:13:18 (*.186.45.116)
17464
맞습니다. 가장 좋은 지침서는 SA1110 메뉴얼이죠
아울러 SDRAM 메뉴얼도 필요하구요..
하지만 급하신분들을 위해 간략하게 설명할께요
어려운부분이 있을수 있지만 이런부분은 메뉴얼을 읽어보세요
[소유권]
이 문서 지적 소유권은 (주)제이닷디엔티에 있다.
문서에 관련된 문의 사항이 있다면 freefrug@falinux.com으로 연락 바란다
StrongArm SA1110 메모리관련 레지스터 설정
=========================================
1. 개요
MCU 가 리셋이 된후 메모리와 주변 IO를 엑세스하기 위해 설정해야 될 레지스터를
설명하고 EZ 보드에서 설정한 값의 배경을 기술한 문서이다.
메모리 클럭(MCLK)은 코어(Core)클럭을 2분주한것이다.(PLL 설정을 참고한다)
내용은 SA1110 메뉴얼을 참고하여 작성되었다.
2. MDCNFG ( adr: 0xA000_0000 ) : DRAM 환경 레지스터
SA1110은 모두 4개의 메모리 뱅크를 지원한다 (nSDCS0..3)
각 뱅크는 최대 128-MBytes 를 지원한다. 그리고 두개의 뱅크가 하나의 페어뱅크로
환경이 설정된다.
0/1 bank pair, 2/3 bank pair
* 뱅크란?
ChipSelect 를 같이 쓰는 동일한 메모리들을 말한다. 왜 동일한 것을 써야되는지는
아래의 환경을 읽어보면 알수 있다.
이 름 BIT 설 명 설 정
------------------- ------------------ --------------------------------- --------------------
DE0..DE3 00 01 16 17 0..3 Bank Enable Enable = 1
DTIM0, DTIM2 02 18 0/1 뱅크, 2/3 뱅크 메모리 타입 SDRAM = 1 / EDO = 0
DWID0, DWID2 03 19 0/1 뱅크, 2/3 뱅크 메모리 버스폭 32bits = 0 / 16bits = 1
DRAC0(3), DRAC2(3) 06..04 22..20 0/1 뱅크, 2/3 뱅크 메모리 RAS 폭
RAS 핀의 갯수와 SDRAM 뱅크셀렉터핀의 갯수를 더한 값
K4S641632, K4S281632
RAS=11..0 / BA=1..0 #설정 14개: '101'
CDB20, CDB22 07 23 SDRAM/DRAM 의 경우 메모리를 엑세스 할경우 클럭과의 타이밍
이 중요하다.
그 타이밍을 맞춰주는 레지스터가 MDCAS00..2/MDCAS20..2 이고
레지스터의 순환클럭을 메모리 클럭에 대해 2분주 할것인지를
결정한다.
#설정 : SDRAM = 1
TRP0(3), TRP2(3) 11..08 27..24 메모리 CS 가 열리고 최초 RAS가 엑티브 될때까지의지연클락수
SDRAM 의 경우 (CAS-latancy/2)+1 이상의 값을 갖는다.
#설정 : SDRAM = '0010'
TDL0(2), TDL2(2) 13..12 29..28 메모리의 CL(CAS-latancy)값을 써준다.
SDRAM의 경우 3, 2 를 지원한다.
#설정 : SDRAM '11', '10'
TWR0(2), TWR2(2) 15..14 31..30 메모리 쓰기(Burst 모드포함) 이후 다음 엑세스까지의 지연클럭
SDRAM 일경우만 필요하다.
#설정 : k4Sxx1632 = '01'
3. MDREFR ( adr: 0xA000_001C ) : DRAM Refresh 설정 레지스터
SDRAM, DRAM 은 일정시간마다 데이타의 소실을 막기 위해 Charge(충전)을 한다.
이 름 BIT 설 명 설 정
------------------- ------------------ --------------------------------- --------------------
TRASR(4) 03..00 ??
SDRAM 의 경우 1이상을 갖는다. '0111'
DRI(12) 15..04 refresh 클럭수/32 '0000 0011 0010'
64,128,256Mbites : < 64mSec
E0PIN 16 SMROM Clock Enable (SDCKE 0) Enable = 1
K0RUN 17 SMROM Clock Run (SDCLK 0) Run = 1
K0DB2 18 SMROM Clock Divide (SDCLK 0) Div2 = 1
reserved 19
E1PIN 20 SDRAM Clock Enable (SDCKE 1) Enable = 1
K1RUN 21 SDRAM Clock Run (SDCLK 1) Run = 1
K1DB2 22 SDRAM Clock Divide (SDCLK 1) Div2 = 1
reserved 24..23
K2RUN 25 SDRAM Clock Run (SDCLK 2) Run = 1
K2DB2 26 SDRAM Clock Divide (SDCLK 2) Div2 = 1
reserved 27
EAPD 28 SDRAM/SDROM Clock (SDCKE1:0) Auto power down Enable =1
KAPD 29 SDRAM/SDROM Clock (SDCLK2:0) Auto power down Enable =1
reserved 30
SLFRSH 31 SDRAM Self-refresh enable Enable = 1
4. MDCAS00..02, MDCAS20..22 ( adr: 0xA000_0004 _0008 _000C, 0xA000_0020 _0024 _0028 ) :
CAS 타이밍 레지스터
SA1110 메뉴얼 Table 10-3 과 SDRAM 의 타이밍을 보고 설정한다.
5. MSC2..0 ( adr: 0xA000_0010 _0014 _002C ) : Static(Flash,Rom) 메모리를 설정한다.
SA1110은 모두 6개의 스태틱 메모리를 지원한다(nCS5..0).
각 핀은 64MBytes 의 영역을 엑세스 한다.
nCS5..3 까지의 핀은 외부 IO에 의해 RDY 핀이 Low 가 되면 타이밍이 늘어진다.
이 름 BIT 설 명 설 정
------------------- ------------------ --------------------------------- --------------------
RTx(2) 01..00 17..16 스태틱 메모리 타입를 결정한다. 00 = Nonburst ROM
or FLASH
01 = Nonburst SRAM
10 = bust-4 ROM
or FLASH
11 = bust-8 ROM
or FLASH
RBWx 02 18 메모리 버스 폭 32-bit = 0 / 16-bit = 1
RDFx(5) 07..03 23..19 RD 가 엑티브 되고 데이타가 유효할때 까지의 시간
RDNx(5) 12..08 28..24 다음 엑세스 할때의 지연시간
RRRx(3) 15..13 31..29 CS 가 닫히고 다음 CS 까지의 지연시간
* nonburst 타이밍 ( 메모리 클럭 기준으로 )
nCS -----+ +--[RRR]--+ nCS -----+ +--[RRR]--+
|____________| |____ |__________________| |_____
DATA ----+--[RDF]-[VVVVV]------------ DATA ----+--[RDF]-[VVVVVVVVVVVVVV]----------
nRD ------+ +--------------- nRD ------+ +----------------
|__________| |________________|
RDY ---------------+ +------------------
(nCS5:3) |______|
* burst 타이밍 ( 메모리 클럭 기준으로 )
nCS -----+ +--[RRR]--+
|__________________________________________ ........ _| |______
DATA ----+--[RDF]-[VVVVV]-----[RDN]-[VVVVVVVVV]----- ........ VVVVV]--------------
nRD -------+ +------+ +------+ +-----------------
|_________| |_______________| |__ ...... __|
RDY ----------------------------+ +--------------------------------------
(nCS5:3) |__________|
MSC0 (intel Strata Flash 28FxxJ3A) : High : 010 10110 10110 1 00 Low : same
RD : RDF 90-nSec 18-Clock 이상
RDN xxx
RRR 0-nSec 1-Clock 이상
MSC1 (Periperal IO nCS2 CS8900 ) High : 100 10000 10000 0 00 Low : 100 10000 10000 0 00
MSC2 (Periperal IO) High : 111 11111 11111 0 00 Low : 111 11111 11111 0 00
! IO의 타이밍에 대해서 모른다면 우선 최대값으로 설정한다.
6. SMCNFG ( 0xA000_0030 ) : SMROM 환경 레지스터
SM3..0 D17:16 D01:00 SMROM Enable = 1
아울러 SDRAM 메뉴얼도 필요하구요..
하지만 급하신분들을 위해 간략하게 설명할께요
어려운부분이 있을수 있지만 이런부분은 메뉴얼을 읽어보세요
[소유권]
이 문서 지적 소유권은 (주)제이닷디엔티에 있다.
문서에 관련된 문의 사항이 있다면 freefrug@falinux.com으로 연락 바란다
StrongArm SA1110 메모리관련 레지스터 설정
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1. 개요
MCU 가 리셋이 된후 메모리와 주변 IO를 엑세스하기 위해 설정해야 될 레지스터를
설명하고 EZ 보드에서 설정한 값의 배경을 기술한 문서이다.
메모리 클럭(MCLK)은 코어(Core)클럭을 2분주한것이다.(PLL 설정을 참고한다)
내용은 SA1110 메뉴얼을 참고하여 작성되었다.
2. MDCNFG ( adr: 0xA000_0000 ) : DRAM 환경 레지스터
SA1110은 모두 4개의 메모리 뱅크를 지원한다 (nSDCS0..3)
각 뱅크는 최대 128-MBytes 를 지원한다. 그리고 두개의 뱅크가 하나의 페어뱅크로
환경이 설정된다.
0/1 bank pair, 2/3 bank pair
* 뱅크란?
ChipSelect 를 같이 쓰는 동일한 메모리들을 말한다. 왜 동일한 것을 써야되는지는
아래의 환경을 읽어보면 알수 있다.
이 름 BIT 설 명 설 정
------------------- ------------------ --------------------------------- --------------------
DE0..DE3 00 01 16 17 0..3 Bank Enable Enable = 1
DTIM0, DTIM2 02 18 0/1 뱅크, 2/3 뱅크 메모리 타입 SDRAM = 1 / EDO = 0
DWID0, DWID2 03 19 0/1 뱅크, 2/3 뱅크 메모리 버스폭 32bits = 0 / 16bits = 1
DRAC0(3), DRAC2(3) 06..04 22..20 0/1 뱅크, 2/3 뱅크 메모리 RAS 폭
RAS 핀의 갯수와 SDRAM 뱅크셀렉터핀의 갯수를 더한 값
K4S641632, K4S281632
RAS=11..0 / BA=1..0 #설정 14개: '101'
CDB20, CDB22 07 23 SDRAM/DRAM 의 경우 메모리를 엑세스 할경우 클럭과의 타이밍
이 중요하다.
그 타이밍을 맞춰주는 레지스터가 MDCAS00..2/MDCAS20..2 이고
레지스터의 순환클럭을 메모리 클럭에 대해 2분주 할것인지를
결정한다.
#설정 : SDRAM = 1
TRP0(3), TRP2(3) 11..08 27..24 메모리 CS 가 열리고 최초 RAS가 엑티브 될때까지의지연클락수
SDRAM 의 경우 (CAS-latancy/2)+1 이상의 값을 갖는다.
#설정 : SDRAM = '0010'
TDL0(2), TDL2(2) 13..12 29..28 메모리의 CL(CAS-latancy)값을 써준다.
SDRAM의 경우 3, 2 를 지원한다.
#설정 : SDRAM '11', '10'
TWR0(2), TWR2(2) 15..14 31..30 메모리 쓰기(Burst 모드포함) 이후 다음 엑세스까지의 지연클럭
SDRAM 일경우만 필요하다.
#설정 : k4Sxx1632 = '01'
3. MDREFR ( adr: 0xA000_001C ) : DRAM Refresh 설정 레지스터
SDRAM, DRAM 은 일정시간마다 데이타의 소실을 막기 위해 Charge(충전)을 한다.
이 름 BIT 설 명 설 정
------------------- ------------------ --------------------------------- --------------------
TRASR(4) 03..00 ??
SDRAM 의 경우 1이상을 갖는다. '0111'
DRI(12) 15..04 refresh 클럭수/32 '0000 0011 0010'
64,128,256Mbites : < 64mSec
E0PIN 16 SMROM Clock Enable (SDCKE 0) Enable = 1
K0RUN 17 SMROM Clock Run (SDCLK 0) Run = 1
K0DB2 18 SMROM Clock Divide (SDCLK 0) Div2 = 1
reserved 19
E1PIN 20 SDRAM Clock Enable (SDCKE 1) Enable = 1
K1RUN 21 SDRAM Clock Run (SDCLK 1) Run = 1
K1DB2 22 SDRAM Clock Divide (SDCLK 1) Div2 = 1
reserved 24..23
K2RUN 25 SDRAM Clock Run (SDCLK 2) Run = 1
K2DB2 26 SDRAM Clock Divide (SDCLK 2) Div2 = 1
reserved 27
EAPD 28 SDRAM/SDROM Clock (SDCKE1:0) Auto power down Enable =1
KAPD 29 SDRAM/SDROM Clock (SDCLK2:0) Auto power down Enable =1
reserved 30
SLFRSH 31 SDRAM Self-refresh enable Enable = 1
4. MDCAS00..02, MDCAS20..22 ( adr: 0xA000_0004 _0008 _000C, 0xA000_0020 _0024 _0028 ) :
CAS 타이밍 레지스터
SA1110 메뉴얼 Table 10-3 과 SDRAM 의 타이밍을 보고 설정한다.
5. MSC2..0 ( adr: 0xA000_0010 _0014 _002C ) : Static(Flash,Rom) 메모리를 설정한다.
SA1110은 모두 6개의 스태틱 메모리를 지원한다(nCS5..0).
각 핀은 64MBytes 의 영역을 엑세스 한다.
nCS5..3 까지의 핀은 외부 IO에 의해 RDY 핀이 Low 가 되면 타이밍이 늘어진다.
이 름 BIT 설 명 설 정
------------------- ------------------ --------------------------------- --------------------
RTx(2) 01..00 17..16 스태틱 메모리 타입를 결정한다. 00 = Nonburst ROM
or FLASH
01 = Nonburst SRAM
10 = bust-4 ROM
or FLASH
11 = bust-8 ROM
or FLASH
RBWx 02 18 메모리 버스 폭 32-bit = 0 / 16-bit = 1
RDFx(5) 07..03 23..19 RD 가 엑티브 되고 데이타가 유효할때 까지의 시간
RDNx(5) 12..08 28..24 다음 엑세스 할때의 지연시간
RRRx(3) 15..13 31..29 CS 가 닫히고 다음 CS 까지의 지연시간
* nonburst 타이밍 ( 메모리 클럭 기준으로 )
nCS -----+ +--[RRR]--+ nCS -----+ +--[RRR]--+
|____________| |____ |__________________| |_____
DATA ----+--[RDF]-[VVVVV]------------ DATA ----+--[RDF]-[VVVVVVVVVVVVVV]----------
nRD ------+ +--------------- nRD ------+ +----------------
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RDY ---------------+ +------------------
(nCS5:3) |______|
* burst 타이밍 ( 메모리 클럭 기준으로 )
nCS -----+ +--[RRR]--+
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DATA ----+--[RDF]-[VVVVV]-----[RDN]-[VVVVVVVVV]----- ........ VVVVV]--------------
nRD -------+ +------+ +------+ +-----------------
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RDY ----------------------------+ +--------------------------------------
(nCS5:3) |__________|
MSC0 (intel Strata Flash 28FxxJ3A) : High : 010 10110 10110 1 00 Low : same
RD : RDF 90-nSec 18-Clock 이상
RDN xxx
RRR 0-nSec 1-Clock 이상
MSC1 (Periperal IO nCS2 CS8900 ) High : 100 10000 10000 0 00 Low : 100 10000 10000 0 00
MSC2 (Periperal IO) High : 111 11111 11111 0 00 Low : 111 11111 11111 0 00
! IO의 타이밍에 대해서 모른다면 우선 최대값으로 설정한다.
6. SMCNFG ( 0xA000_0030 ) : SMROM 환경 레지스터
SM3..0 D17:16 D01:00 SMROM Enable = 1
