안녕하세요.
푸지님이 적으신 메모리세팅 방법 글중에서 질문이 있습니다.

- RAS Precharge
- Data Input latch after CAS
- Write Recovery
요 부분들은 적어주신 글을 따라가며 이해를 했는데요...

- Auto Refresh
- Dram Refresh Intervals

요 두부분의 레지스터 세팅값을 어떻게 구하는것인지 좀더 구체적으로 알고 싶
습니다. SDRAM 데이터북을 보니 auto refresh 64mS/4K 이렇게 적혀있는데..이
정보를 가지고 어떻게 레지스터에 세팅을 해야할런지요..

[질문1]
허접하게 Auto Refresh를 계산했는데 맞는지요.
64mS/4k 이니까.

64mS
---- = 15.6nS
4096

15.6nS x 4 bank x sdram 2개 연결 --> 125nSec
125nS / 18ns(55.25MHz) --> 6.9xxx --> 7 clock 정도
이같이 엉터리 계산에 의해서 전 7 이라는 값을 얻었는데요. 계산이 맞는것인
가요?

[질문2]
Dram Refresh Intervals는 도무지 어떻게 계산하는것인지 모르겠습니다.
요부분좀 계산해 주셨으면 합니다.즉, 0000 0011 0010 의 값이 나온 이유를 배
웠으면 합니다. 감사합니다.
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