DDR 속도를 메모리 속도를 말할떄 4-4-4 , 5-5-5 와 같은 표현은 CL - tRCD - tRP 를 의미 합니다.

이것들이 무엇인지 간략한 설명을 하지면, 아래와 같습니다.

CL (CAS Latency)
- 메모리에 Column address 를 보내고 난 후 data 가 메모리의 out pin 으로 출력 되기 까지의 시간으로 Read Latency 이다.

tRCD(Row Address to Column Address Delay)
- Row address 가 열리고 Column address 가 access 될때 까지의 clock cycle.

tRP(Row Precharge Time)
- Precharge command 가 내려가고 그 다음 Row address 가 열릴 때 까지의 시간 
- Row를 d-activate 하고 bit line 값을 re-charge 시키는데 필요한 시간

tRAS(Row Active Time)
- Active to Precharge(Maximum value exist)
- bank active command 와 precharge command 사이의 clock cycle

tRC(Row Cycle Time)
- tRC = tRAS + tRP

DRAM 은 보통 동작 클럭이 있는데 , 200MHZ ~  쭉 ~  있습니다.
그래서 속도는 400Mbps, 667Mbps, 800Mbps , 1066Mbps ..가 있으며, 각 속도별로 DDR 의 파트명이 살짝씩 달라집니다.
파트명은 칩에도 써있지만 데이터 시트를 보면 잘 나와 있습니다.

사실 위에서 명시한 몇 가지 시간값 들은 대부분 정해져 있고, 메모리 클럭이 달라진다 해도 위 값들은 크게 달라지지는 않습니다.
회사에서 사용하는 삼성DDR2 같은 경우 1066 짜리를 붙여놓고, (1066Mbps 의 CL 은 7 임) 위의 동작 시간 기준은 800 용으로 , CL 값만 400 용 (CL-4) 으로 설정해놓고써도 잘 동작 하고 있습니다.

예를 들어 보자면 Winbond 의 W972GG6JB-25 의 경우는 아래와 같은 스팩을 갖는다.
//W972GG6JB-25
        MIN     MAX
RFC 195      -
RRD 10      -
RP 12.5    -
RCD 12.5    -
RC 57.5     -
RAS 45      70000

WTR 7.5        -
WR 15        -
RTP 7.5        -
CL 5(clk)
WL AL+CL-1(clk) //AL=0
RL AL+CL(clk)   //AL=0
FAW 45         -
XSR 200      -
XSP 2(clk) -
CKE 3(clk) -
MRD 2(clk) -

사실 뒤의 -25 는 800Mbps 를 의미 하는 것 같고, 위에 명시한 스팩도 800Mbps 짜리 ddr2 의 스팩입니다.
그런데 위에서 말했듯이  200MHz 의 400Mbps 로 구동하고 있고, 모든 시간 타이밍을 1클럭분 ( 5nSec ) 여유롭게
설정했으며, CL 은 800 용 그대로 5 로 놨더니... 동작 안되었습니다.
CL을 4 로 놨더니 잘 동작 하는군요. 데이터 시트에 400Mbps 일때의 CL 값이 나오진 않았으나 만약 나왔다면 4 일 것이라예측이 되는군요.
 
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