nand flash에는 전에 소개 했듯이, SLC, MLC, TCL  세 종류가 있습니다.

1 Cell 에 전압을 걸어 그 양에 따라 SLC는 1bit(두가지 상태), MLC는 2bit(4가지 상태), TLC는 3bit(8가지 상태)를 저장합니다.

내용을 위와 같이 기록하는 과정에서 물리적으로 Cell 의 산화막이 손상되는데, 이에 가장 민감하게 반응하는 것이 TLC일 수 밖에 없어 수명이 가장 짧습니다.


여기서, nand flash의 수명을 연장하기 위해 여러가지 방법이 사용되는데, 몇가지만 보겠습니다.


1. Wear Leveling : 특정 Cell만 집중적으로 사용하여 손상받아 수명을 다하지 않도록, 각각의 Cell을 골고루 사용하도록 관리하여 전체적으로 Cell의 수명을 일정하게 관리해주는 것입니다.


2. Over Provisioning : 예비용량의 Cell을 확보해두었다가, 배드블록이 발생한 Cell이 발생하면, 이를 대체하여 전체용량을 일정하게 유지하는 방법입니다.


3. 기타 

     - ECC : 에러 수정 기능으로 잘못 읽은 데이타를 정정하는 방법

     - 기록 전압에 따라 각각의 Cell의 전자저장량을 감지하여 Write시 전압을 셀 상태에 맞춰 변화시키는 방법

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