: 1) 플래시 메모리가 burst와 nonburst로 나뉘는데요.
: 메뉴얼 보아도 이것이 왜 nonburst인지 알수가 없습니다.
: 가르쳐주세요.

버스트 모드는 어드레스 한번에 여러개의 데이타를 연속적으로 읽는
모드입니다. CS 가 LOW상태에서 OE 또는 WR 신호만이 움직입니다.

: 2) 플래시 메모리의 설정 래지스터(MSC) 에서 RDF는 계산이 되었습니다.
: 이것은 tAVQA 와 같더군요 150ns / 8.3ns = 18
: 그런데 RDN 과 RRR은 계산이 잘 안되던데요.
: RDN은 메뉴얼을 보니까 tWP이더군요.
: 70ns / 8.3ns = 8.4 가 나오던데요. 이지보드 소승는 11로 셋팅되어
: 있습니다. 이유를 잘 모르겠습니다.
플래시 메모리라고 특화 시키지 마시고..
(왜냐하면 읽기 상태일때만 설정된 타이밍을 사용하거든요..
쓰기시에는 완전히 다른 상태입니다.)
RDN 은 RDF와 마찬가지로 nWR 신호가 로우로 되는시간입니다.


: 3) MSC에서 RRR 은 메뉴얼에서 못찾았습니다.
: 가르쳐주세요 ㅜ.ㅜ

RRR은 CS가 닫히고 다음 CS가 열릴수 있는 최소 시간을 말합니다.

이상의 모든 타이밍은 시스템클럭/2 에 대해 동기를 맞추며
200MHz일 경우 RDF = 2 이면 20+10ns 로 보시면 됩니다.
RDN = 10 이면 100+10ns
RRR = 3 이면 60+10ns 일케 계산합니다.
그리고 칩셋의 최소 타이밍보다 약간 넓게 잡는게 좋겠죠..
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