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NAND Flash의 MLC(Multi-level Cell)과 SLC(Single-level Cell) 을 비교한 자료입니다.
| SLC | MLC |
Features |
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Bits per Cell | 1 | 2 or more |
Voltage | 3.3V or 1.8V | 3.3V |
Data bus width (bits) | x8 or x16 | x8 |
Architecture |
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Planes | 1 or 2 | 2 |
Page size(bytes) | 2112 | 2112 - 4314 |
Pages per block | 64 | 128 |
Reliability |
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ECC (per 512 bytes ) | 1-bit | 4-bit or more |
Erase/Program cycles | 100,000 | 10,000 |
Partial programming times | 4 | --- |
Performance |
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Read | 25us | 50us |
Program | 200~300us | 600~900us |
Erase | 1.5~2ms | 3ms |
SLC와 MLC의 쓰기 횟수를 알기 위해 자료를 찾다가 관련 자료가 있어 올려 보았습니다.
위에서 Erase/Program cycles 부분이 쓰기 횟수를 비교해 놓은 부분입니다.
MLC의 경우에는 쓰기 횟수가 Chip사 마다 조금씩 다른 경우도 있습니다. 5,000회 ~ 10,000회 정도로 보시면 됩니다.
<참조사이트>
http://www.smxrtos.com/articles/mlcslc.htm