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IC메모리는 크기 2가지로 분류할 수 있다. 휘발성,비휘발성!
그리고 다음과 같은 계보를 가지고 있다.
1) 휘발성메모리:
RAM:
* SRAM:
A-SRAM
SB-SRAM
* DRAM:
FPM-DRAM
EDO-DRAM
SDRAM
DDR-SDRAM: DDR, DDR2, DDR3, DDR4
RDRAM
2) 비휘발성메모리:
ROM:
* MASK-ROM
* PROM : 배터리를 가지고 있음
* EPROM
* EEPROM
FLASH:
* NOR
* NAND: SLC ---> MLC ---> TLC
* DINOR
* AND
그리고, 플래시메모리는 크게 NOR, NAND, DINOR, AND의 네가지형으로 나뉜다.
1) NOR:
집적도(용량): 낮음
블록크기: 큼(64~128Kb)
어드레싱크기: 1,2,4,32bytes
선도업체: 인텔, AMD
2) NAND:
집적도(용량): 높음
블록크기: 큼(16~128Kb)
어드레싱크기: 512bytes, 2Kb
선도업체: 삼성,도시바,AMD
3) DINOR:
집적도(용량): 낮음
블록크기: 큼(32~64Kb)
어드레싱크기: 1,2,256bytes
선도업체: 미쓰비시
4) AND:
집적도(용량): 높음
블록크기: 작음(2Kb)
어드레싱크기: 2Kb
선도업체: 히타치
플래시메모리는 가격, 대용랑생산에서 장점이 있으나,
a) 쓰기(Write)속도가 좋지 못하다는 것과,
b) 랜덤액세스가 불가하고
c) 서버스토리지에 사용하기에 성능(?), 수명이 문제가 되는
단점들을 가지고 있다.
현재 DRAM과 플래시메모리를 대체할 메모리의 후보로는
MRAM(Magnetic), 저항변환 메모리(ReRAM 또는 RRAM), 상변화(Phase-Change), FeRAM(Ferroelectrics) 메모리이다.
이들 중 PRAM이 가장 우수한 특성을 보유하고 있으며 현재 가장 양산화에 근접해 있다
1. FeRAM(Ferroelectrics): 대량생산용이, 저전압 동작이 가능해 소비전력 낮음
2006년 후지쯔와 Ramtron International사가 1메가비트 칩의 대량생산을 시작
메모리의 집적도와 가격경쟁에 취약
2. MRAM(자기저항 변화 메모리): 저전력으로 초소형화 가능
자성체의 자기(磁氣) 변화를 이용해 데이터를 저장하는 방식의 메모리다.
1990년대부터 개발 중이다, IBM
3. PRAM(상변화 메모리): 고속,고집적화가 쉬워 제품설계 용이
P램은 물질의 상(相) 변화를 이용해 데이터를 저장하는 방식 메모리이고,
대표적인 회사는 마이크론, 삼성전자, 인텔, ST마이크로일렉트로닉스
4. R(e)RAM(저항변환 메모리) : 내구성과 미세공정에 유리
물질의 저항 변화를 이용해 데이터를 저장하는 방식의 메모리를 말한다
2014.5.25자 전자신문에 따르면, 국내 연구진에 의해, 상용화의 최대 걸림돌인 동작원리를 규명할 수 있게 되었다.
연구팀은 ‘단일층 그래핀 전극 기반 비휘발성 메모리 소자의 저항 가변 메커니즘 측정 기술’을 개발했다고 밝혔다.
10~20년안에 플로피디스켓이 그러했듯이 HDD도 추억속으로 사라질 지도 ....
